Hjelp - Transistor UiA Logo

[Hovedmeny] [Forrige] [Neste] [Strøm-forsterker] [Input karakteristikk] [Output karakteristikk] [AC Forsterker] [Simulering]
Transistoren er kanskje vår tids viktigste elektroniske komponent, og inngår i de fleste elektroniske kretser knyttet til vår hverdag (bil, TV, mobil-telefon, elektrisk kjøkkenutstyr, PC, ...)

To av transistorens viktigste arbeidsområder er å fungere som:
- Strømforsterker
- Bryter

En transistor består av tre hoved-deler:
- Kollektor
- Basis
- Emitter

På figuren vises en såkalt npn-transistor hvor kollektor og emitter begge er n-dopede halvledermaterialer og hvor basis er et p-dopet halvledermateriale.
Merk av i checkboksen Real Circuit for å se en mer 'reell' transistor-krets.

Basis er vanligvis et tynt og svakt dopet område.
På en måte kan vi si at en transistoren er sammensatt av 2 dioder.
I de to pn-områdene mellom kollektor/basis og emitter/basis har vi fått rekombinasjon av elektroner og hull slik at p-dopet basis er blitt negativt ladd (mistet positive ladde hull) mens de to n-dopede delene, kollektor og emitter er blitt positivt ladd (mistet negative ladde elektroner). I de to sperre-sjiktene mellom kollektor/basis og emitter/basis har vi derfor elektriske felt rettet fra kollektor til basis og fra emitter til basis.

I utgangspunktet kobler vi nå emitter og basis til null elektrisk potensial, mens kollektor kobles til høyt positivt potensial.
Begge pn-overgangene (mellom kollektor/basis og emitter/basis) er derfor koblet i sperreretningen.
I tillegg er sperresjiktet kollektor/basis sterkt i forhold til sperresjiktet emitter/basis siden kollektor er koplet til positivt potensial.

Hvis vi når lar potensialet på basis øke svakt (bruk skrollbaren plassert under batteriet koblet til basis), vil sperresjiktet mellom emitter og basis minke.
Sperresjiktet mellom kollektor og basis vil bli relativt lite påvirket, siden kollektor er koplet til høyt positivt potensial.

Når sperresjiktet mellom emitter og basis blir tilstrekkelig lite, vil elektroner fra emitter bevege seg over til basis.
Siden basis-området er tynt, vil elektroner som kommer fra emitter lett kunne komme nær sjiktet mellom kollektor og basis hvor det sterke elektriske feltet vil dra elektronene inn i kollektorområdet som er koblet til positivt potensial og som derfor vil dra elektronene videre rundt i kollektor/emitter-kretsen.
Vi får en elektrisk strøm i emitter/kollektor-kretsen. Relativt lite strøm vil gå i basis/emitter-kretsen, mens en relativt stor strøm vil gå i kollektor/emitter-kretsen.
På denne måten kan vi si at vi har fått en strømforsterker: Realtivt lite strøm i basis/emitter-kretsen kontrollerer en stor strøm i kollektor/emitter-kretsen.
Samtidig kan vi si at vi har fått en bryter: Når basis koplet til et gitt positivt potensial (for silicium ca 0.6V), vil plutselig en relativt stor elektrisk strøm gå i kollektor/emitter-kretsen.

Studier av transistorens egenskaper:
Strømforsterker
Input VI karakteristikk
Output VI karakteristikk
Spenningsforsterker