Modellen viser hovedprinsippet for en n-kanal felteffekttransistor (FET). Strømmen ledes gjennom en kanal fra drain D til source S. På hver side er det lagt inn en p-halvleder. De to np-overgangene kan betraktes som dioder med et sperresjikt.

Ved å tilføre negativ spenning på gate G, blir de to diodene forspent i sperreretning. Ved å la gate bli mer og mer negativ, vil sperresjiktet øke og kanalbredden avta. Dermed reduseres ledningsevnen og strømmen gjennom dioden avtar.